三星宣布完成16层混合键合 HBM 内存技术验证

4月8日消息，据外媒报道称，三星电子高管近日透露，该公司完成了采用 16 层混合键合 HBM 内存技术验证，已制造出基于混合键合技术的 16 层堆叠 HBM3 内存样品，该内存样品工作正常，未来 16 层堆叠混合键合技术将用于 HBM4 内存量产。

据悉，混合键合技术作为一种新型的内存键合方式，相较于传统的键合工艺，具有显著的优势。它摒弃了在DRAM内存层间添加凸块的繁琐步骤，直接通过铜对铜的连接方式实现上下两层的连接。这种创新的方式不仅提高了信号传输速率，更好地满足了AI计算对高带宽的迫切需求，同时也降低了DRAM层间距，使得HBM模块的整体高度得到缩减。

其实，混合键合技术的成熟度和应用成本一直是业界关注的焦点。为了解决这一问题，三星电子在HBM4内存键合技术方面采取了多元化的策略。除了积极推进混合键合技术的研究与应用，三星电子还同步开发传统的TC-NCF工艺，以实现技术多样化，降低风险，并提升整体竞争力。

在混合键合技术之外，三星还在不断探索和优化TC-NCF工艺。

据悉，三星的目标是在HBM4中将晶圆间隙缩减至7.0微米以内，以进一步提升HBM4的性能和可靠性。

业内专家表示，三星在16层混合键合堆叠工艺技术方面的突破，将有力推动HBM内存技术的发展，为未来的计算应用提供更为强大的内存支持。